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 在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

由碳與氟反應，或一氧4化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應，或四氯4化碳與氟化銀反應，或四氯4化碳與氟化4氫反應，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

四氟化碳也一樣，比如我們公司生產的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態的，在正常大氣壓下就是氣態的，四氟化碳是有一定毒性的應該不能用作呼吸。反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。吸入四氟化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。

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